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Información del producto
Transistor bipolar de potencia tipo NPN en encapsulado TO-220 para aplicaciones de propósito general. Características: • Ic: 3 A máximo (continua) • Vceo: 100 V mínimo • hFE: 25 mínimo @ Ic 1 A • fT: 3 MHz mínimo • Pd: 40 W • Encapsulado: TO-220 AB • Uso: propósito general